| 发明名称 | 等离子体成膜方法和等离子体成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C<SUB>5</SUB>F<SUB>8</SUB>气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C<SUB>4</SUB>F<SUB>6</SUB>离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101036219A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200580034009.3 | 申请日期 | 2005.10.04 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小林保男;太田与洋;康松润;泽田郁夫 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);C23C16/26(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体成膜方法，其特征在于，基于微波的能量，将由碳和氟构成、并具有单独1个三键、1个以上双键、或共轭双键的化合物的原料气体活化，利用由此得到的含有C4F6或C4F5的成膜种，形成加氟碳膜，其中，对该原料气体进行活化，使得活化后的原料气体浓度为活化前的原料气体浓度的0.05倍以上0.5倍以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||