| 发明名称 | 电容介电层及其形成方法与电容器 | ||
| 摘要 | 一种电容介电层，其包括第一介电层、第二介电层以及氮化硅叠层。其中，氮化硅叠层位于第一介电层与第二介电层之间。此电容介电层的结构可利用降低其厚度，以提高单位面积电容值，且可避免产生漏电流增加与击穿电压降低等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101034702A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200610058936.5 | 申请日期 | 2006.03.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王之俊;陈新兴;蒋裕和 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种电容介电层，包括：一第一介电层；一第二介电层；以及一氮化硅叠层，位于该第一介电层与该第二介电层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||