| 发明名称 | 自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺方法 | ||
| 摘要 | 一种自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺方法，于基底上先形成一深接触窗开口，然后于接触窗开口侧壁形成氮化硅间隙壁。然后，沉积一层钴层，再依序形成一层离子化金属等离子体钛层与一层化学气相沉积氮化钛层。随后，施行第一次快速热制作工艺。接着，进行一湿式蚀刻，以去除钛/氮化钛层。然后，施行第二次快速热制作工艺，再将导体层填入接触窗开口中。 | ||
| 申请公布号 | CN100337320C | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN02129702.9 | 申请日期 | 2002.08.13 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 曾铕寪;邱宏裕 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺方法，其特征在于：包括：于一硅基底上形成一介电层；于该介电层中形成一接触窗开口，并暴露出该硅基底；于该接触窗开口侧壁形成一氮化硅间隙壁；于该接触窗开口底部形成一钴层；于该钴层上形成一电离金属等离子体钛层；于该电离金属等离子体钛层上形成一化学气相沉积氮化钛层；施行一第一快速热制作工艺，以使该钴层与该硅基底反应形成一自行对准钴硅化物；进行一湿式蚀刻，以去除未反应的该钴层、该电离金属等离子体钛层与该化学气相沉积氮化钛层；施行一第二快速热制作工艺；于该接触窗开口中填入一导体层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||