| 主权项 |
1.一种加强散热型半导体晶片封装构造,包含: 一基板,该基板具有一上表面及一下表面; 一半导体晶片,具有一主动表面及相对于该主动表 面之一背面,该主动表面上具有复数个焊垫,复数 个导电元件系设于该复数个焊垫上,该半导体晶片 系以该主动表面面向该基板上表面配置,且藉该复 数个导电元件电性连接于该基板上表面; 一散热片,具有复数个贯孔,该散热片系设于该半 导体晶片之背面上;及 一导热插梢,该导热插梢系至少填塞于该贯孔之一 。 2.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该导热插梢更包含一周壁,该周壁 系形成一铜金属层。 3.如申请专利范围第2项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该散热片系为铜。 4.如申请专利范围第2项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该散热片系为铝。 5.如申请专利范围第4项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该散热片之贯孔之孔壁系形成一铜 金属层。 6.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该导热插梢更包含一周壁,该周壁 系形成一银金属层。 7.如申请专利范围第6项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该散热片系为铜。 8.如申请专利范围第6项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该散热片系为铝。 9.如申请专利范围第8项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该散热片之贯孔之孔壁系形成一铜 金属层。 10.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,更包含: 一导热胶,该散热片系藉该导热胶固接于该半导体 晶片背面及基板上表面。 11.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,更包含: 至少一加劲环,该加劲环系藉该导热胶同时与该基 板及该散热片连接。 12.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,更包含: 一填充体,其系填充于该基板上表面与该半导体晶 片主动表面之间。 13.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,其中该导电元件系为一凸块。 14.如申请专利范围第1项之加强散热型半导体晶片 封装构造,更包含: 复数个焊球,其系形成于该基板之下表面。 15.一种适于配置在一半导体晶片封装构造之散热 件,包含: 一上表面; 一下表面; 复数个贯孔系贯穿该上表面及下表面;及 一导热插梢,该导热插梢系填塞于该贯孔之一。 16.如申请专利范围第15项之散热件,其中该散热件 之材质系为铝。 17.如申请专利范围第16项之散热件,其中该贯孔之 孔壁系形成一银金属层。 18.如申请专利范围第16项之散热件,其中该贯孔之 孔壁系形成一铜金属层。 19.如申请专利范围第15项之散热件,其中该散热件 之材质系为铜。 图式简单说明: 图1为一示意图,显示习知HFC-BGA型之半导体晶片封 装构造。 图2为一示意图,显示习知具散热片之半导体晶片 封装构造。 图3为一示意图,显示本发明第一较佳实施例之加 强散热型半导体晶片封装构造。 图4为一示意图,显示本发明第二较佳实施例之加 强散热型半导体晶片封装构造。 图5为一示意图,显示本发明第三较佳实施例之加 强散热型半导体晶片封装构造。 |
