| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其包含有: 一闸极线、一第一资料线以及一第二资料线,其中 该闸极线、该第一资料线及该第二资料线相互交 叉排列,于该第一资料线及该第二资料线重叠之区 域界定一单元像素区域; 一薄膜电晶体,系设置于该闸极线、该第一资料线 及该第二资料线之一交叉区域,且具有一钝化层, 系位于一暴露之通道层上; 一共同电极线,系与该闸极线平行; 一第一储存电极,与该共同电极线为一整体结构, 系用以形成一位于该单元像素区域之储存电容Cst; 一第二储存电极,系重叠于该第一储存电极; 复数个共同电极,系由该第一储存电极延伸,并位 于该单元像素区域;以及 复数个像素电极,系由该第二储存电极延伸,并与 该复数个共同电极交替设置。 2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 该第二储存电极延伸至该薄膜电晶体之一汲极区 域。 3.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该第 二资料线、该第一储存电极、该第二储存电极以 及该像素电极皆系由透明金属所制成。 4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 该第一储存电极重叠于该第二储存电极,且该第一 储存电极与该第二储存电极之间插入一闸极绝缘 层。 5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 该钝化层系利用一氧电浆制程而形成。 6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 该钝化层系为组成该通道层之矽(Si)元素发生反应 而形成之氧化矽(SiOx)。 7.一种液晶显示装置之制造方法,其包含有: 一第一光罩制程,系于一绝缘基板上形成一闸极线 、一闸极垫、一闸极以及一共同电极线; 一第二光罩制程,系于该绝缘基板之一闸极形成区 域上依序形成一闸极绝缘层、一非晶质矽层、一 掺杂之非晶质矽层以及一金属层,并藉由一点染制 程形成一第一资料线以及一通道层; 一第三光罩制程,系用于该闸极绝缘层之该通道层 形成区域上形成一透明金属层,并藉由一蚀刻制程 同时形成一接触垫、一第二资料线、一薄膜电晶 体之电极、一欧姆接触层以及一像素电极;以及 一电浆制程,系于该薄膜电晶体之该通道层上形成 一钝化层。 8.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中于该第一光罩制程中形成一第一储存 电极。 9.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中于该第三光罩制程中,形成一第二储 存电极重叠于该第一储存电极,且该闸极绝缘层系 插入于该第一储存电极与该第二储存电极之间。 10.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中该第一储存电极与该共同电极线系为 一整体结构。 11.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中该薄膜电晶体之电极系依照一第一源 极、一第二源极、一第一汲极以及一第二汲极而 形成。 12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置之 制造方法,其中该第一源极系为该第一资料线,而 该第二源极系为该第二资料线。 13.如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置之 制造方法,其中该第一汲极与该第二汲极相互接触 且重叠。 14.如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置之 制造方法,其中该第二汲极与该第二储存电极及该 像素电极系为一整体结构。 15.如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置之 制造方法,其中该第二资料线、该第二汲极、该第 二储存电极以及该像素电极皆系由透明金属所制 成。 16.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中该电浆具有氧成分。 17.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中该钝化层系为该电浆与该通道层之成 分反应所形成之氮化矽(SiOx)。 18.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中于该电浆制程中,一蚀刻制程系沿着 一点染图案执行,而该电浆制程系于一剥离制程之 前执行。 19.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中于该电浆制程中,一蚀刻制程系沿着 一点染图案执行,而该电浆制程系于一剥离制程之 后执行。 20.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之制 造方法,其中形成于该通道层上之该钝化层,系用 以保护该薄膜电晶体之特性。 图式简单说明: 第1图为先前技术之平面切换型液晶显示装置之平 面图; 第2A图至第2D图分别为先前技术之液晶显示装置之 制造方法沿第1图之I-I'线之剖面图; 第3图为本发明之一实施例之平面切换型液晶显示 装置之示意图; 第4A图为本发明之第一光罩制程沿第3图之II-II'线 之剖面图; 第4B图为第3图之第一光罩制程之平面图; 第5图为本发明之部份第二光罩制程沿第3图之II-II '线之剖面图; 第6图为本发明之部份第二光罩制程沿第3图之II-II '线之剖面图; 第7A图为本发明之部分第二光罩制程沿第3图之II- II'线之横切面图; 第7B图为本发明之第3图之部份第二光罩制程之平 面图; 第8图为本发明之部份第三光罩制程沿第3图之II-II '线之横切面图; 第9图为本发明之部份第三光罩制程沿第3图之II-II '线之横切面图; 第10A图及第10B图分别为本发明之电浆制程沿第3图 之II-II'线之平面图及剖面图;以及 第11图所示为第3图沿III-III'线之横切面图。 |
