| 主权项 |
1.一种快速热退火制程之每日监控的控片,包括有: 一矽基底; 一氧化矽层,形成于该矽基底表面上;以及 一无定形多晶矽层,形成于该氧化矽层表面上,且 内部掺杂有一砷离子。 2.如申请专利范围第1项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的控片,其中该氧化矽层的厚度为 1000~2000。 3.如申请专利范围第1项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的控片,其中该无定形多晶矽层的厚 度为1900~2100。 4.如申请专利范围第1项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的控片,其中于完成该控片之监控量 测之后,可将该氧化矽层与该无定形多晶矽层去除 ,以回收再利用该控片。 5.一种快速热退火制程之每日监控的方法,包括有 下列步骤: 提供一矽基底; 于该矽基底表面上形成一氧化矽层; 于该氧化矽层表面上形成一无定形多晶矽层; 进行离子布植制程,以于该无定形多晶矽层内掺杂 一砷离子;以及 进行快速热退火制程,以量测该无定形多晶矽层之 温度与电阻値之关系。 6.如申请专利范围第5项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的方法,其中该氧化矽层之制作可采 用热氧化法或化学气相沉积(CVD)制程。 7.如申请专利范围第5项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的方法,其中该氧化矽层之厚度为 1000~2000。 8.如申请专利范围第5项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的方法,其中该无定形多晶矽层之制 作可采用低压化学气相沉积(LPCVD)制程。 9.如申请专利范围第5项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的方法,其中该无定形多晶矽层之厚 度为1900~2100。 10.如申请专利范围第5项所述之一种快速热退火制 程之每日监控的方法,其中于量测该无定形多晶矽 层之温度与电阻値之关系以后,可将该氧化矽层与 该无定形多晶矽层去除,以回收再利用该矽基底。 图式简单说明: 第1A至1D图显示本发明使用于RTA每日监控程序的控 片剖面图。 第2A图显示控片之温度(T)、薄层阻値(Rs)与无定形 多晶矽层之厚度的关系。 第2B图显示控片之温度(T)、Rs的均匀度与无定形多 晶矽层之厚度的关系。 |
