| 摘要 |
<p>Изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее - к конструкции полупроводниковых лазеров. Мощные полупроводниковые лазеры находят широкое применение во многих отраслях науки и техники, например, используются в качестве источника оптического излучения для накачки волоконных усилителей, волоконных и твердотельных лазеров. Это требует, чтобы полупроводниковый лазер сочетал в себе вместе с максимальной мощностью излучения также высокую надежность и узкую спектральную линию излучения.</p>
<p>Предлагаемое изобретение решает задачи обеспечения возможности повышения мощности и надежности при сужении спектра излучения и упрощения технологии изготовления.</p>
<p>Задачи решаются тем, что в известной линейке полупроводниковых лазеров, содержащей подложку, гетероструктуру, включающую волновод, эмиттеры р- и n-типа проводимости, активную область, состоящую из, по меньшей мере, одного квантоворазмерного активного слоя, отражатели, оптические грани, оптический резонатор, один омический контакт расположенный на свободной поверхности подложки, один омический контакт расположенный на свободной поверхности гетероструктуры и состоящий из оптически и электрически несвязанных одиночных контактов прямоугольной формы с одинаковыми ширинами и расстояниями между всеми ближайшими одиночными контактами новым является то, что, расстояние между ближайшими одиночными контактами растет от края к центру линейки полупроводниковых лазеров.</p> |
