| 发明名称 | 采用两个氧化物层的非易失性存储器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101030623A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200610137442.6 | 申请日期 | 2006.10.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 斯蒂法诺维奇·詹瑞克;赵重来;柳寅儆;李殷洪;赵成逸;文昌郁 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种采用两个氧化物层并包括可变电阻材料的非易失性存储器件，包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||