| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 半导体衬底上形成了沟槽，沟槽具有为电连接设置了栅极电极的栅极电极部、栅极电极、和外部的布线的栅极引出部。在为将栅极电极与外部电连接的栅极引出部上，沟槽的终端部的宽度，形成的部沟槽的其他部分宽。 | ||
| 申请公布号 | CN101032030A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200580033111.1 | 申请日期 | 2005.09.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 沟口修二;角田一晃 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，形成在半导体衬底的多条沟槽内具有栅极绝缘膜和栅极电极，其特征在于：上述沟槽的终端部中至少一部分的宽度，比上述沟槽中的上述终端部以外的部分宽度宽。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||