| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 抑制通过写入动作导入到MOSFET中的氮化硅膜的电子的电荷发生扩散，确保良好的电荷保持性。以膜厚最大为100的膜形成作为存储功能体的氮化硅膜(27)。进而，除去在与侧壁(35)的栅电极部(23)相对侧的侧面和该栅电极部的侧面之间的侧面氮化硅膜(27)，缩小体积。 | ||
| 申请公布号 | CN101030599A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200710003987.2 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 安藤秀幸 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底，具有：元件区域，和设置在制作于该元件区域中的沟道区域的上表面的、包含栅极氧化膜和该栅极氧化膜上的栅电极的栅电极部；在所述半导体衬底上夹持所述沟道区域而制作的第1和第2主电极区域；连成一体的、覆盖所述栅电极部的周边区域的所述半导体衬底的上表面的周边氧化硅膜和覆盖所述栅电极部的侧面的侧面氧化硅膜，其是以比所述栅电极部的厚度薄、且均匀的膜厚设置的氧化硅膜，设置成覆盖所述周边氧化硅膜的上表面的、膜厚最大为100的氮化硅膜，以及，在该氮化硅膜的上表面上、离开所述侧面氧化硅膜而设置的侧壁。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||