发明名称 高频集成电路封装构造及其制造方法
摘要 本发明是有关于一种高频集成电路封装构造及其制造方法。该高频集成电路封装构造,主要包括一基板、一凸块化晶片及复数个导电填料。该基板是具有由一上表面贯穿至一下表面的复数个凸块容置通孔并包含有一线路层,该凸块化晶片的一主动面是贴附于该基板的该上表面,使得该凸块化晶片的复数个凸块是容置于对应的该些凸块容置通孔内,该些导电填料是形成于该些凸块容置通孔内,达到电性连接该些凸块至该线路层。该高频集成电路封装构造具有电性传导路径短、防止冲线以及封装薄化的功效。
申请公布号 CN101030565A 申请公布日期 2007.09.05
申请号 CN200610057848.3 申请日期 2006.03.01
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 发明人 黄祥铭;刘安鸿;林勇志;李宜璋;杜武昌;林俊宏;邱士峰
分类号 H01L23/498(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) 主分类号 H01L23/498(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1、一种高频集成电路封装构造,其特征在于其包括:一基板,其具有一上表面、一下表面以及复数个贯穿该上表面至该下表面的凸块容置通孔,且该基板包含一线路层;一晶片,其具有一主动面以及复数个在该主动面上的凸块,其中该主动面是贴附于该基板的该上表面,而使该些凸块容置于对应的该些凸块容置通孔内;以及复数个导电填料,其形成于该些凸块容置通孔内,并电性连接该些凸块至该线路层。
地址 中国台湾