Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung mit einer selbstausgerichteten Gate-Struktur,申请号DE20021036646-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung mit einer selbstausgerichteten Gate-Struktur
摘要
申请公布号	DE10236646(B4)	申请公布日期	2007.08.23
申请号	DE20021036646	申请日期	2002.08.09
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.	发明人	SEO, KANG-ILL;HWANG, JAE-SEUNG;LEE, SEUNG-MIN
分类号	H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792	主分类号	H01L21/8247
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