| 发明名称 | CVD反应器的清洗方法和操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种清洗CVD反应器的反应室(12)的方法，所述方法包括如下步骤：加热室壁至合适的温度，并向室内引入气流；该清洗方法可以有利地用于CVD反应器的操作方法中用于在室内向基质上沉积半导体材料；这种操作方法设想了一种包含如下步骤的生长方法：依次和循环向室(12)内装载基质、向基质上沉积半导体材料和从室(12)卸载基质；在卸载后进行清洗室(12)的方法。本发明还涉及与加热一起清洗整个CVD反应器的方法，其设想在气流中存在化学蚀刻组分。 | ||
| 申请公布号 | CN101023198A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580029175.4 | 申请日期 | 2005.07.12 |
| 申请人 | LPE公司;ETC外延技术中心有限公司 | 发明人 | S·莱昂内;M·毛切里;G·阿邦丹扎;D·克里帕;G·瓦伦特;M·马西;F·普雷蒂 |
| 分类号 | C23C16/32(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | C23C16/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.一种清洗CVD反应器的反应室的方法，包括如下步骤：-加热室壁至不低于所要脱除的材料开始升华的温度；-向室内引入气流。 | ||
| 地址 | 意大利米兰 | ||