| 发明名称 | 非易失存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失存储器，包括衬底、浮置栅极、控制栅极、源极区与漏极区。其中，衬底中设置有沟槽，且沟槽旁之衬底中具有阶梯状凹陷。浮置栅极设置于沟槽侧壁。控制栅极设置于沟槽与阶梯状凹陷之间的衬底上，且延伸至阶梯状凹陷中。源极区设置于沟槽底部之衬底中，漏极区则设置于阶梯状凹陷底部之衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN101022114A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200610007024.5 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张格荥;张骕远 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种非易失存储器，包括：衬底，该衬底中设置有沟槽，且该沟槽旁之该衬底具有阶梯状凹陷；浮置栅极，设置于该沟槽侧壁；控制栅极，设置于该沟槽与该阶梯状凹陷之间的该衬底上，且延伸至该阶梯状凹陷中；源极区，设置于该沟槽底部之该衬底中；以及漏极区，设置于该阶梯状凹陷底部之该衬底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||