| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 在等离子体处理装置(100)中，在基座(2)的上方配备有上侧板(60)和下侧板(61)。上侧板(60)和下侧板(61)由石英等耐热性绝缘体构成，并且相互离开规定的间隔，例如5mm，平行设置，具有多个贯通孔(60a)或(61a)。在重叠两片板的状态下，使它们错开位置形成，使得下侧板(61)的贯通孔(61a)和上侧板(60)的贯通孔(60a)不重合。 | ||
| 申请公布号 | CN101023513A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580031296.2 | 申请日期 | 2005.09.16 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 井出真司;佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：对被处理基板进行等离子体处理的处理室；在所述处理室内载置所述被处理基板的基板保持台；和选择通过单元，配备在所述基板保持台的上方，抑制等离子体中的离子的通过，选择性地使氢自由基通过。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||