发明名称 时频元件的制造方法及其制品
摘要 本发明提供一种时频元件的制造方法,是首先在一基板内用覆晶构装方法将一芯片上的接点与该基板上的接脚电性连接,接着在一真空的环境下,用导电胶把一振荡子的一端黏着于基板的侧壁上面,并利用一质量微调步骤调整该振荡子的振荡频率,最后则把该基板加以封盖后完成封装。另外,本发明也提供了一种时频元件的制品,包含一具有一开口的基板、一封闭该开口的封盖、设置在该基板内的一芯片及一振荡子,及一形成在该振荡子表面的频率微调粒子层。
申请公布号 CN1333523C 申请公布日期 2007.08.22
申请号 CN02148887.8 申请日期 2002.11.22
申请人 泰艺电子股份有限公司 发明人 颜文成
分类号 H03B5/32(2006.01);H03H3/02(2006.01);H03H9/10(2006.01) 主分类号 H03B5/32(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李强
主权项 1、一种制造时频元件的方法,其中该时频元件具有一基板,该基板包括形成有一电路布局的一底壁,以及环绕该底壁周缘并向上延伸的一侧壁,且该底壁与该侧壁相配合界定出具有一开口的一容置空间,该电路布局在该底壁面对该容置空间的一顶面上形成有复数接脚,其特征在于该方法包含步骤:(a)将一具有复数接点的芯片由该开口置入该容置空间,且利用覆晶方法将该芯片的各该复数接点与该基板底壁的各该对应接脚电性连接;(b)在一真空环境下,将一振荡子的一端与该芯片相对应且电性连接地设置在该基板的侧壁上;(c)输入一测试信号至该芯片,使其驱动该振荡子振荡;(d)测量该振荡子的振荡频率,并与一预定振荡频率比较,依测量结果沉积至/蚀刻自该振荡子曝露于该开口的一曝露表面,以微调该振荡子的质量;(e)在该真空环境下,以一封盖封闭已设置该振荡子及该芯片的该基板的上述开口,借此保持该容置空间于一真空气密状态。
地址 台湾省台北市