| 主权项 |
1.一电流驱动显示装置,系包括: 复数条资料线; 复数条扫描线,大体垂直于该等扫描线形成; 一受电流驱动之画素阵列,各该画素系相邻于其中 一资料线及一扫描线而设置; 至少一电源供应线,系耦接至该等画素;及 其中该电源供应线横截面上之平均电流密度系不 大于趋近105安培/平方公分(A/cm2)。 2.如申请专利范围第1项所述之电流驱动显示装置, 其中该电源供应线之横截面更包含一宽度及厚度 。 3.如申请专利范围第1项所述之电流驱动显示装置, 其中各该画素进一步包含一电致发光元件。 4.如申请专利范围第3项所述之电流驱动显示装置, 其中该电致发光元件包含一正极、一负极及一形 成于该正极及负极间之电致发光层。 5.如申请专利范围第4项所述之电流驱动显示装置, 该电致发光层更包含一有机发光物质。 6.如申请专利范围第4项所述之电流驱动显示装置, 该电致发光元件之正极系经由一驱动及控制电路 耦接至一第一电源供应线。 7.如申请专利范围第4项所述之电流驱动显示装置, 其中该负极系耦接至一第二电源线。 8.如申请专利范围第2项所述之电流驱动显示装置, 其中该宽度系介于100微米至4000微米。 9.如申请专利范围第2项所述之电流驱动显示装置, 其中该厚度系介于2000埃至6000埃。 10.一电致发光显示装置,系包括: 一画素阵列,各该画素更包含一驱动及控制电路以 及一电致发光元件; 至少一第一供应电源; 至少一第一电源供应线,系耦接至该等画素及该至 少一第一供应电源; 至少一第二供应电源;及 至少一第二电源供应线,系耦接至该等画素及该至 少一第二供应电源; 其中该第一或第二电源供应线横截面上之平均电 流密度系不大于趋近105安培/平方公分(A/cm2)。 11.如申请专利范围第10项所述之电致发光显示装 置,其中该第一或第二电源供应线之横截面更包含 一宽度及厚度。 12.如申请专利范围第10项所述之电致发光显示装 置,其中该电致发光元件包含一正极、一负极及一 形成于该正极及负极间之电致发光层。 13.如申请专利范围第10项所述之电致发光显示装 置,该电致发光层更包含一有机发光二极体。 14.如申请专利范围第12项所述之电致发光显示装 置,该电致发光层更包含一有机发光物质。 15.如申请专利范围第12项所述之电致发光显示装 置,该电致发光元件之正极系经由一驱动及控制电 路耦接至一第一电源供应线。 16.如申请专利范围第12项所述之电致发光显示装 置,其中该电致发光元件之负极系经由一接触孔耦 接该至少一第二电源供应线上。 17.一抑制一电流驱动显示装置内电源供应线中电 致迁移效应之方法,系包括: 提供一画素阵列,各该画素系包括一电致发光元件 ; 提供至少一第一电源供应线; 提供至少一第二电源供应线; 将每一画素电性耦接至该至少一第一电源供应线 其中一第一电源供应线及该至少一第二电源供应 线其中一第二电源供应线; 提供一电流经该至少一第一及该第二电源供应线 至该等画素中;以及 测量该第一或第二电源供应线横截面上之最大平 均电流密度系不大于趋近105安培/平方公分(A/cm2) 。 18.如申请专利范围第17项所述抑制电流驱动显示 装置内电源供应线中电致迁移效应之方法,更包含 在电致发光元件上形成一正极、一负极、以及在 该正极及负极中形成一电致发光层之步骤。 19.如申请专利范围第18项所述抑制电流驱动显示 装置内电源供应线中电致迁移效应之方法,更包含 在该电致发光层中形成一有机电致发光材质。 图式简单说明: 第1图系显示一在铝线中产生电致迁移效应之量测 曲线图; 第2A图系显示本发明电流驱动显示器一较佳实施 例之电路示意图; 第2B图系显示第2A图中电流驱动显示器之画素电路 的部分放大图; 第2C图系显示第2A图中电流驱动显示器之画素电路 电路图; 第3图系显示本发明电流驱动显示器另一较佳实施 例之电路示意图。 |
