| 主权项 |
1.一种太阳能电池,包括了: 一块实质上为平面之p-型半导体基底,具有一前侧 面与一背侧面; 一层前侧面n+扩散射体层配置于该半导体基底前 侧面的至少一部份上; 至少一种负极欧姆接点配置于该半导体基底背侧 面上;还有 至少一种受n++掺配的传导通路,其带有实质上实心 剖面并且包含该半导体基底物质;其中该传导通路 配置于并穿过该半导体基底,并且以电气方式将前 侧面n+扩散射体层连接至位于该半导体基底背侧 面上之负极欧姆接点。 2.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,另外包 括至少一种正极欧姆接点位于该半导体基底背侧 面上。 3.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该 至少一种负极欧姆接点包括一种n-格线负极欧姆 接点。 4.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中该 至少一种负极欧姆接点包括一种n-格线负极欧姆 接点。 5.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中该 至少一种正极欧姆接点包括一种p-格线正极欧姆 接点。 6.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中该 至少一种正极欧姆接点包括一种p-格线正极欧姆 接点。 7.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中该 至少一种正极欧姆接点包括一种p-格线正极欧姆 接点。 8.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该 前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 9.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中该 前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 10.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 11.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 12.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 13.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 14.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层包括一种磷质n+扩散层。 15.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 16.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 17.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 18.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 19.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 20.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 21.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 22.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 23.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 24.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 25.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 26.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 27.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 28.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,另外 包括一层n+扩散射体层配置于该半导体基底背侧 面的至少一部份上。 29.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 30.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 31.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 32.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 33.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 34.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 35.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 36.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 37.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 38.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 39.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 40.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 41.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 42.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 43.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背侧 面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 44.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 45.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 46.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 47.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 48.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 49.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 50.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 51.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 52.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 53.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 54.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 55.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 56.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 57.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 58.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 59.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 60.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 61.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 62.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 63.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 64.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 65.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 66.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 67.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 68.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 69.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 70.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 71.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 72.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 73.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 74.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 75.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 76.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 77.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 78.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 79.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 80.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 81.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 82.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 83.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 84.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 85.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 86.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,另外 包括一种抗反射涂层配置于该半导体基底前侧面 上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通道。 87.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 88.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 89.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 90.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 91.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 92.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 93.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 94.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 95.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 96.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 97.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 98.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 99.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 100.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 101.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 102.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 103.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 104.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 105.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 106.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 107.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 108.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 109.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 110.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 111.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 112.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 113.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 114.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 115.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 116.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 117.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 118.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 119.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 120.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 121.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 122.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 123.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 124.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 125.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 126.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 127.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 128.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 129.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 130.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通路包括一或更多由包括磷、 砷与锑之群组选择出的n-型掺杂物。 131.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 132.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 133.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 134.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 135.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 136.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 137.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 138.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 139.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 140.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 141.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 142.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 143.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 144.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 145.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 146.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 147.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 148.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 149.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 150.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 151.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 152.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 153.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 154.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 155.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 156.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 157.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 158.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 159.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 160.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 161.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 162.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 163.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 164.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 165.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 166.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 167.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 168.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 169.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 170.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 171.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 172.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 173.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 至少一种负极欧姆接点包括一或更多由包括铂、 镍、钯、钛、钨、银、铜、铝、锡,以及金之群组 选择出的金属。 174.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 175.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 176.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 177.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 178.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 179.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 180.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 181.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 182.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 183.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 184.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 185.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 186.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 187.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 188.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,另外 包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背侧 表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 189.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 190.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 191.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 192.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 193.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 194.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 195.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 196.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 197.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 198.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 199.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 200.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 201.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 202.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 203.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 204.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 205.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 206.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 207.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 208.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 209.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 210.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 211.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 212.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 213.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 214.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 215.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 216.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 217.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 218.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 219.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 220.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 221.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 222.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 223.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 224.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 225.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 226.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 227.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 228.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 229.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 230.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 231.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,另外 包括一列间隔紧密受n++掺配之传导通道。 232.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 233.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 234.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 235.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 236.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 237.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 238.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 239.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 240.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 241.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 242.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 243.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 244.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 245.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 246.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 247.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 248.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 249.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 250.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 251.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 252.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 253.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 254.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 255.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 256.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 257.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 258.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 259.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 260.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 261.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 262.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 263.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 264.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 265.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 266.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 267.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 268.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 269.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 270.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 271.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 272.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 273.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 274.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎圆形。 275.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 276.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 277.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 278.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 279.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 280.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 281.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 282.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 283.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 284.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 285.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 286.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 287.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 288.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 289.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 290.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 291.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 292.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 293.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 294.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 295.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 296.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 297.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 298.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 299.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 300.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 301.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 302.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 303.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 304.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 305.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 306.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 307.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 308.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 309.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 310.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 311.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 312.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 313.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 314.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 315.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 316.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 317.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该传导通道剖面近乎圆形者之直径由大约25微米 至大约150微米。 318.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 319.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 320.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 321.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 322.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 323.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 324.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 325.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 326.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 327.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 328.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 329.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 330.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 331.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 332.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 333.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 334.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 335.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 336.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 337.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 338.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 339.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 340.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 341.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 342.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 343.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 344.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 345.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 346.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 347.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 348.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 349.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 350.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 351.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 352.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 353.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 354.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 355.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 356.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 357.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 358.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 359.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 360.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该受n++掺配之传导通道其剖面系近乎矩形,具有一 短轴以及一长轴。 361.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 362.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 363.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 364.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 365.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 366.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 367.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 368.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 369.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 370.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 371.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 372.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 373.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 374.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 375.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 376.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 377.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 378.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 379.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 380.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 381.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 382.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 383.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 384.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 385.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 386.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 387.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 388.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 389.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 390.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 391.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 392.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 393.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 394.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 395.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 396.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 397.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 398.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 399.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 400.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 401.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 402.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 403.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之短轴长度由大约25 微米至大约150微米。 404.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 405.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 406.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 407.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 408.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 409.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 410.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 411.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 412.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 413.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 414.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 415.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 416.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 417.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 418.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 419.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 420.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 421.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 422.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 423.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 424.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 425.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 426.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 427.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 428.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 429.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 430.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 431.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 432.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 433.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 434.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 435.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 436.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 437.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 438.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 439.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 440.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 441.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 442.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 443.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 444.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 445.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 446.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴长度大大超过 短轴。 447.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 448.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 449.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 450.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 451.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 452.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 453.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 454.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 455.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 456.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 457.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 458.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 459.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 460.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 461.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 462.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 463.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 464.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 465.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 466.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块资质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 467.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 468.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 469.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 470.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 471.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 472.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 473.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 474.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 475.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 476.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 477.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 478.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 479.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 480.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 481.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 482.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 483.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 484.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 485.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 486.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 487.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 488.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 489.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该剖面近乎矩形的传导通道之长轴延伸跨越超过 该块实质上为平面的p-型半导体基底尺寸大小之 半。 490.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 491.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 492.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 493.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 494.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 495.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 496.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 497.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 498.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 499.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 500.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 501.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 502.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 503.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 504.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 505.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 506.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 507.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 508.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 509.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 510.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 511.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 512.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 513.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 514.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 515.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 516.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 517.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 518.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 519.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 520.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 521.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 522.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 523.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 524.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 525.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 526.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 527.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 528.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 529.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 530.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 531.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 532.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约2 毫米。 533.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 534.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 535.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 536.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 537.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 538.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 539.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 540.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 541.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 542.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 543.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 544.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 545.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 546.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 547.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 548.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 549.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 550.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 551.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 552.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 553.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 554.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 555.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 556.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 557.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 558.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 559.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 560.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 561.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 562.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 563.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 564.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 565.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟录 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 566.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 567.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 568.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 569.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 570.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 571.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 572.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 573.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 574.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 575.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓 之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之 介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组 选择出的半导体材料。 576.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 577.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 578.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 579.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 580.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 581.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 582.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 583.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 584.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 585.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 586.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 587.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 588.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 589.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 590.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 591.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 592.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 593.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 594.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 595.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 596.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 597.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 598.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 599.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 600.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 601.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 602.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 603.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 604.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 605.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 606.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 607.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 608.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 609.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 610.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 611.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 612.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 613.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 614.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 615.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 616.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 617.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 618.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 至少一种受n++掺配的传导通路系以一种梯度-驱动 迁移作用制程所制作。 619.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 620.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 621.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 622.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 623.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 624.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 625.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 626.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 627.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 628.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 629.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 630.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 631.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 632.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 633.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 634.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 635.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 636.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 637.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 638.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 639.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 640.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 641.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 642.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 643.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 644.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 645.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 646.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 647.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 648.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 649.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 650.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 651.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 652.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 653.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 654.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 655.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 656.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 657.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 658.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 659.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 660.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 661.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该梯度-驱动迁移作用制程可能包括热迁移作用制 程、电迁移作用制程,或是二者之结合体。 662.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 663.如申请专利范围第2项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 664.如申请专利范围第3项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 665.如申请专利范围第4项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 666.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 667.如申请专利范围第6项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 668.如申请专利范围第7项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 669.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 670.如申请专利范围第9项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 671.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 672.如申请专利范围第11项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 673.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 674.如申请专利范围第13项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 675.如申请专利范围第14项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 676.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 677.如申请专利范围第16项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 678.如申请专利范围第17项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 679.如申请专利范围第18项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 680.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 681.如申请专利范围第20项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 682.如申请专利范围第21项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 683.如申请专利范围第22项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 684.如申请专利范围第23项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 685.如申请专利范围第24项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 686.如申请专利范围第25项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 687.如申请专利范围第26项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 688.如申请专利范围第27项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 689.如申请专利范围第28项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 690.如申请专利范围第29项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 691.如申请专利范围第30项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 692.如申请专利范围第31项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 693.如申请专利范围第32项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 694.如申请专利范围第33项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 695.如申请专利范围第34项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 696.如申请专利范围第35项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 697.如申请专利范围第36项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 698.如申请专利范围第37项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 699.如申请专利范围第38项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 700.如申请专利范围第39项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 701.如申请专利范围第40项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 702.如申请专利范围第41项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 703.如申请专利范围第42项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 704.如申请专利范围第43项所述之太阳能电池,其中 该块实质上为平面的p-型半导体基底于其前侧面 与后侧面之间不具有连接孔。 705.一种背面-接点式太阳能电池,包括了: 一块p-型半导体基底,具有一前侧面与一背侧面; 一层前侧n+扩散射体层位于该半导体基底之前侧 面上; 一种负极欧姆接点位于该半导体基底背侧面上; 一种受n++掺配的实心传导通道配置穿过半导体基 底最厚部分,其以电气方式将前侧n+射体层连接至 位于该半导体基底背侧面上之负极欧姆接点;还有 一种正极欧姆接点位于该半导体基底背侧面上; 其中该传导通道包含一种重新结晶受n++掺配之拖 曳尾,其系于某一有表面-沉积n++掺配的溶解物质 由该半导体基底一侧迁移通过基底至另一侧,由梯 度一驱动迁移作用过程所驱动,之后形成者。 706.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,其 中该梯度-驱动迁移作用制程包括一种热迁移作用 制程、一种电迁移作用制程,或是二者之结合体。 707.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,其 中该前侧n+扩散射体层包含一种磷质n+扩散层。 708.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,另 外包括一层背侧n+扩散射体层位于该半导体基底 背侧面上。 709.如申请专利范围第708项所述之太阳能电池,其 中该前侧面n+扩散射体层系被少量地掺配,而该背 侧面n+扩散射体层则被大量浓密地掺配。 710.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,另 外包括了一种抗反射涂层配置于该半导体基底前 侧表面上,覆盖了该前侧面n+扩散射体层与传导通 道之前侧面。 711.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,其 中该溶解物质包括一或更多由包括磷、砷与锑之 群组选择出的n-型掺杂物质。 712.如申请专利范围第711项所述之太阳能电池,其 中该溶解物质另外包括一或更多由包括铂、镓、 铅、镁、铟、银、铜、铝、锡,以及金之群组选择 出的载体金属。 713.如申请专利范围第712项所述之太阳能电池,其 中该溶解物质包括一或更多由包括银-金-锑、银- 锡-锑,以及银-铝-锑之群组选择出的三元合金。 714.如申请专利范围第713项所述之太阳能电池,其 中该溶解物质包括银带有大约10原子百分比的锑 以及大约10原子百分比的铝。 715.如申请专利范围第708项所述之太阳能电池,另 外包括一种钝化作用层配置于该半导体基底之背 侧表面上,并且配置于正负欧姆接点之间。 716.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,另 外包括一列间隔紧密、实心、受n++掺配之传导通 道,其由一种梯度-驱动迁移作用制程所制作者。 717.如申请专利范围第716项所述之太阳能电池,其 中相邻传导通道之间的间隔系由大约1毫米至大约 2毫米。 718.如申请专利范围第716项所述之太阳能电池,其 中该等传导通道一般系为圆柱形其直径由大约25 微米至大约150微米。 719.如申请专利范围第716项所述之太阳能电池,其 中该等传导通道形成一种拉长的侧边其宽度由大 约25微米至大约150微米。 720.如申请专利范围第705项所述之太阳能电池,其 中该半导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟 镓之磷化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓 之介亚硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群 组选择出的半导体材料。 721.一种用以制造背面-接点半导体太阳能电池之 制程,包括了: 提供一块p-型半导体基底,其具有一前侧面与一背 侧面者; 形成一种n+射体层于该半导体基底前侧表面的至 少一部份上以及背侧表面上; 将一种n-型掺杂溶解物质沉积于该p-型半导体基底 某一表面的一部份上; 将该n-型掺杂溶解物质迁移通过该p-型半导体基底 ,藉此有一或更多实质上实心受n++掺配之传导通道 形成,而其将前侧表面n+射体层以电气方式连接至 背侧表面n+射体层射体层;还有 提供一或更多负极接触背侧表面欧姆接点,其中各 个负极接触背侧表面欧姆接点被与至少一个实质 上实心受n++掺配之传导通道以电气方式连接之。 722.如申请专利范围第721项所述之制程,其中该半 导体基底包括一或更多由包括矽、锗、铟镓之磷 化物、镓的砷化物、铟的锑化物、铜铟镓之介亚 硒酸盐、镉的碲化物,以及锌的硫化物之群组选择 出的半导体材料。 723.如申请专利范围第721项所述之制程,其中形成 一种n+射体层系包括扩散磷物质。 724.如申请专利范围第721项所述之制程,其中形成 一种n+射体层包含之步骤为: 提供一种有图样的扩散栅遮住其为p-型欧姆接点 将形成处之区域; 将磷质扩散进入该半导体基底之前侧与后侧表面, 以形成前侧n+射体层与背侧n+射体层;还有 清除该有图样的扩散栅。 725.如申请专利范围第724项所述之制程,其中提供 一种有图样的扩散栅包括网印一种有图样之扩散 栅。 726.如申请专利范围第724项所述之制程,其中提供 一种有图样的扩散栅包括以热力成长、氮化物沉 积、雷射雕刻图案或是油墨喷射印刷之扩散栅。 727.如申请专利范围第721项所述之制程,其中该n-型 掺杂溶解物质包括一列间隔紧密小液滴之溶解物 质。 728.如申请专利范围第721项所述之制程,其中该n-型 掺杂溶解物质包括一列间隔紧密线条之溶解物质 。 729.如申请专利范围第721项所述之制程,其中该n-型 掺杂溶解物质步骤系由该p-型半导体基底之前侧 表面迁移至背侧表面。 730.如申请专利范围第721项所述之制程,其中该n-型 掺杂溶解物质步骤系由该p-型半导体基底之背侧 表面迁移至前侧表面。 731.如申请专利范围第721项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质包括于一热力处理器中对该 溶解物质进行热迁移。 732.如申请专利范围第729项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质包括于一热力处理器中对该 溶解物质进行热迁移。 733.如申请专利范围第730项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质包括于一热力处理器中对该 溶解物质进行热迁移。 734.如申请专利范围第721项所述之制程,其中该热 力处理器包括一排电浆弧光灯以对该半导体基底 之某一侧面加热。 735.如申请专利范围第729项所述之制程,其中该热 力处理器包括一排电浆弧光灯以对该半导体基底 之某一侧面加热。 736.如申请专利范围第730项所述之制程,其中该热 力处理器包括一排电浆弧光灯以对该半导体基底 之某一侧面加热。 737.如申请专利范围第721项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质包括对该溶解物质进行电迁 移。 738.如申请专利范围第729项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质包括对该溶解物质进行电迁 移。 739.如申请专利范围第730项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质包括对该溶解物质进行电迁 移。 740.如申请专利范围第721项所述之制程,另外包括, 于沉积该列溶解物之前,在该半导体基底之前侧表 面上形成一或更多浅的凹陷部位,其位置为该n-型 掺杂溶解物质即将被沉积之处。 741.如申请专利范围第740项所述之制程,其中该一 或更多浅的凹陷部位包括凹坑,而该n-型掺杂溶解 物质包括溶解物质之小液滴。 742.如申请专利范围第740项所述之制程,其中该一 或更多浅的凹陷部位包括沟槽,而该n-型掺杂溶解 物质包括溶解物质之线条。 743.如申请专利范围第721项所述之制程,其中提供 一或更多负极接触背侧表面欧姆接点包括网印一 种银的敷糊物成为一列负-极性n-型欧姆接点。 744.如申请专利范围第721项所述之制程,另外包括 提供一列正极接触背侧表面欧姆接点。 745.如申请专利范围第744项所述之制程,其中提供 一列正极接触背侧表面欧姆接点包括网印一种银 的敷糊物成为一列正-极性p-型欧姆接点。 746.如申请专利范围第744项所述之制程,其中提供 一列正极接触背侧表面欧姆接点包括经由背侧面n +射体层将铝掺入而形成正极接点。 747.如申请专利范围第743项所述之制程,另外包括 将该基底烘制。 748.如申请专利范围第745项所述之制程,另外包括 将该基底烘制。 749.如申请专利范围第721项所述之制程,另外包括, 于对该n-型掺杂溶解物质进行迁移之后,将一种抗 反射涂层沉积于该半导体基底之前侧表面上,而覆 盖该前侧面n+射体层以及传导通道。 750.如申请专利范围第749项所述之制程,其中将抗 反射涂层进行沉积包括利用电浆-加强化学蒸气沉 积法(PECVD)将矽氮化物进行沉积。 751.如申请专利范围第721项所述之制程,另外包括, 于提供一或更多负极接触背侧表面欧姆接点之前, 将一种介电质钝化作用层沉积于该半导体基底之 背侧面上。 752.如申请专利范围第749项所述之制程,其中该钝 化作用层系加上图案以致不会遮住欧姆接点即将 被施加处之区域。 753.如申请专利范围第721项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质通过该p-型半导体基底之步骤 系实施于在该p-型半导体基底前侧表面的至少一 部份上以及背侧表面上形成一种n+射体层的步骤 之前。 754.如申请专利范围第721项所述之制程,其中迁移 该n-型掺杂溶解物质通过该p-型半导体基底之步骤 系实施于在该p-型半导体基底前侧表面的至少一 部份上以及背侧表面上形成一种n+射体层的步骤 之后。 755.一种用以制造背面-接点半导体太阳能电池之 制程,包括了: a)提供一种p-型半导体基底,其具有一前侧表面与 一背侧表面者; b)将该半导体基底弄乾净并予蚀刻; c)网印一种有图样的扩散栅遮住其为p-型欧姆接点 将形成处之区域; d)将磷质扩散进入该半导体基底之前侧与后侧表 面,以形成前侧n+射体层与背侧n+射体层; e)将该有图样的扩散栅清除; f)沉积一列间隔紧密包含n-型掺杂溶解物质者; g)于一热力处理器中对该溶解物质进行热迁移,藉 此有实心、受n++掺配之传导通道形成,而其将前侧 面n+射体层与背侧面n+射体层以电气方式连接; h)网印一种银的敷糊物成为负-极性n-型欧姆接点; i)网印一种银的敷糊物成为正-极性p-型欧姆接点; 以及 j)烘制该基底。 756.一种用以制造背面-接点半导体太阳能电池之 制程,包括了: a)提供一种p-型半导体基底,其具有一前侧表面与 一背侧表面者; b)将该半导体基底弄乾净并予蚀刻; c)将磷质扩散进入该半导体基底之前侧与后侧表 面,以形成前侧n+射体层与背侧n+射体层; d)对背面上的抗蚀层作网印,除了将要制作p-型欧 姆接点的区域之外; e)将n+扩散射体层中未被抗蚀层遮住的部份除去; f)将该抗蚀层清除; g)沉积一列间隔紧密包含n-型掺杂溶解物质者; h)于一热力处理器中对该溶解物质进行热迁移,藉 此有实心、受n++掺配之传导通道形成,而其将前侧 面n+射体层与背侧面n+射体层以电气方式连接; i)网印一种银的敷糊物成为负-极性n-型欧姆接点; j)网印一种银的敷糊物成为正-极性p-型欧姆接点; 以及 k)烘制该基底。 图式简单说明: 图1A系显示一种背面-接点式矽太阳能电池第一个 范例之概要的剖面视图,根据本发明。 图1B系显示一种背面-接点式矽太阳能电池第一个 范例之概要的等轴立体视图,根据本发明。 图1C系显示一种背面-接点式矽太阳能电池第二个 范例之概要的剖面视图,根据本发明。 图1D系显示一种背面-接点式矽太阳能电池第三个 范例之概要的剖面视图,根据本发明。 图2A-2J显示对于利用一种梯度-驱动迁移制程制造 背面-接点式矽太阳能电池之一系列处理步骤的第 一个范例之概要的剖面视图,根据本发明。 图3A-3E显示对于利用一种梯度-驱动迁移制程制造 背面-接点式矽太阳能电池之一系列处理步骤的第 二个范例之概要的剖面视图,根据本发明。 |
