PHOTODETECTEUR MONOLITHIQUE

摘要

L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.