发明名称 利用气体馈送控制回路使射束电流稳定
摘要 本发明的一或多项观点系关于藉由选择性调整馈送气流的单独参数来稳定离子植入系统内之离子束的电流或密度。调整该气流并不需要调整其它操作参数,从而可简化该稳定方法。此作法可非常快速地稳定该射束电流,俾使可立刻开始进行离子植入,而且可持续进行而不会遭到中断。此作法可改良总处理量,同时又可降低相关的植入成本。
申请公布号 TW200731359 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095141657 申请日期 2006.11.10
申请人 艾克塞利斯科技公司 发明人 罗勃特 雷斯梅尔;柏 范德贝尔格
分类号 H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/265(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 美国