半导体晶圆之制造法与双面研磨方法、以及半导体晶圆之双面研磨装置

摘要

【课题】在半导体晶圆外周部在未导角之状态(或者，未粗导角之状态)下实施双面研磨时，防止晶圆外周部上之缺陷及缺损，消除导角形状之恶化及晶圆圆周方向上之导角形状参差。【解决手段】在以当作保护构件之载体(13)保护矽晶圆(1)外周部(1R)之状态下，实施双面研磨。将水供给到矽晶圆(1)一边之表面(1a)，藉此，使矽晶圆(1)一边之表面(1a)自垫片(11)持续浮起，藉由握持矽晶圆(1)另一边之表面(1b)而自载体(13)取出矽晶圆(1)。在双面研磨步骤之后(取出晶圆后)，实施导角步骤。