| 摘要 |
提供一种半导体雷射元件，其特征在于，具备：第一导电型半导体基板1；设置于该半导体基板上之第1导电型包覆层3；设置于该第1导电型包覆层上活性层4；设置于上述活性层上之第2导电型第1包覆层5；设置于该第1包覆层上之形成沿共振器方向延伸之隆起(ridge)状导波路之第2导电型第2包覆层7；设置于该第2导电型第2包覆层上之第2导电型接触层9；端面窗构造11，藉由将杂质扩散至共振器方向之端面部活性层区域，使活性层区域之带隙较该端面部以外部分之增益区域来得扩大；于该第2导电型包覆层中，与该端面窗构造区域中之杂质浓度相比，该增益区域中之杂质浓度为相同或较大。可形成折射率变动小之端面窗构造，电阻较以往者来得高，且可抑制往共振器方向之Zn扩散。 |
