发明名称 蚀刻处理方法
摘要 〔课题〕在将ArF微影成像世代以后之抗蚀剂做为光罩使用之蚀刻处理中,抑制过剩之沉积物之形成与附着。〔解决方法〕利用具备:真空容器101,设置被加工试样107之被加工试样设置手段102,冷却气体导入手段111,高频电源106,匹配器105,电力导入手段104,高频偏压电源110之蚀刻装置,以高频电力电浆化被导入真空容器101内之气体,并对被加工试样107施加高频偏压电力以进行被加工试料107之表面处理之蚀刻处理方法中,利用高沉积性气体处理被加工试样107时,将开始处理时之被加工试样107之温度保持于企望之温度。
申请公布号 TW200731397 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095107583 申请日期 2006.03.07
申请人 日立全球先端科技股份有限公司 发明人 顷安邦彦;根岸伸幸
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本