发明名称 |
膜形成装置、形成膜之方法、及制造光电转换装置之方法 |
摘要 |
本发明系有关于膜形成装置,包括具有用以传送基底的滚轮之第一传送室、具有放电电极的膜形成室、置于传送室与膜形成室之间或膜形成室之间的缓冲室、位于基底于缓冲室中进出之部分中的狭缝、以及具有用以使基底倒回的滚轮之第二传送室。此狭缝具有至少一个接触滚轮,并且接触滚轮系与基底的膜形成表面连接。此外,本发明也有关于藉由使用此种膜形成装置所进行之膜形成方法及光电转换装置制造方法。 |
申请公布号 |
TW200731551 |
申请公布日期 |
2007.08.16 |
申请号 |
TW095135579 |
申请日期 |
2006.09.26 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
浦吉和;安达广树;高桥宽畅;菅原裕辅;荒尾达也;西和夫;荒井康行 |
分类号 |
H01L31/0248(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0248(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |