非挥发性半导体记忆胞元感测方法

摘要

本发明提供一种感测非挥发性半导体记忆胞元的状态的方法。当改变单元的栅极电压时，将记忆胞元电流以及从至少一基准单元产生的比较电流与预定基准电流进行比较。感测放大器感测所述电流中的哪一首先达到预定基准电流。达到基准电流的顺序指示记忆胞元的状态。在本发明的一优选实施方法中，比较电流作为已擦除基准单元电流和已编程基准单元电流的平均值而产生。