发明名称 影像感测器中金属互连之形成方法
摘要 本发明揭示一种用于在一影像感测器中形成一金属互连之方法,该方法包含:在一基板上形成一具有一接触插塞之第一层间介电(ILD)层;在该第一ILD层上形成一扩散障壁层;执行一形成气体退火;在该扩散障壁层上形成一第二ILD层;蚀刻该第二ILD层及该扩散障壁层以形成一渠沟;形成一导电层以填充该渠沟;及平坦化该导电层以形成一电连接至该接触插塞之金属互连。
申请公布号 TW200731464 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095149961 申请日期 2006.12.29
申请人 美格纳半导体有限公司 发明人 崔璟根
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L27/14(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国
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