| 发明名称 |
具有升高源/汲极区域之掺杂选择性磊晶成长(SEG)之沈积技术 |
| 摘要 |
形成覆于半导体基板上的第一闸极结构与第二闸极结构。形成覆于该第一闸极结构与相关联的源/汲极区域上的第一保护层。于移除该第一保护层之前，形成覆于第二源/汲极区域上的第一磊晶层。 |
| 申请公布号 |
TW200731414 |
申请公布日期 |
2007.08.16 |
| 申请号 |
TW095115485 |
申请日期 |
2006.05.01 |
| 申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
坎姆勒 索斯顿;毕尔斯特德特 哈姆特;卢宁 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/8234(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
