发明名称 | 具有抗突波与静电之二极体结构及制程方法 | ||
摘要 | 本发明系有关于一种具有抗突波与静电之二极体结构及制程方法,其系一二极体结构包含有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层,一发光层、一透明导电层、一正电极、一负电极与一静电保护层。其中正电极经透明导电层、P型半导体层、发光层与N型半导体层至负电极系形成一第一路径供一电压通过,且利用静电保护层之电性,以促使负电极经静电保护层至正电极形成一第二路径供一电流通过,若偏压电压超过二极体之操作电压,将使突波电流经静电保护层从负电极传导至正电极或从正电极经由静电保护层传导至负电极,使二极体结构不受突波与静电影响,以提供二极体具有更好之抗突波与静电效能。 | ||
申请公布号 | TW200731555 | 申请公布日期 | 2007.08.16 |
申请号 | TW095104620 | 申请日期 | 2006.02.10 |
申请人 | 璨圆光电股份有限公司 | 发明人 | 黄国钦;蓝文厚;潘锡明;杨志伟;简奉任 |
分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L23/58(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 蔡秀玫 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号 |