形成铁电存储器胞元的方法

摘要

本发明具有反向T形栅极堆叠的金属-铁电-金属-隔离-半导体(MFMIS)存储器装置，其可以仅利用一个字元线罩幕完成。这种金属-铁电-金属-隔离-半导体(MFMIS)存储器装置的制作是利用一个字元线罩幕形成字元线、并利用边衬形成一个反向T形栅极堆叠，因此可以相容于自我校准的蚀刻制程。

主权项

1.一种形成一铁电装置的方法，包括：利用一隔离区域，在一硅基底上形成至少一主动区域；在该至少一主动区域及该隔离区域上沉积多层，其中，该多层包括一隔离层、一第一电极层、一铁电层、一第二电极层及一第一介电层；基于一字元线罩幕，蚀刻该字元线罩幕及该多层的至少一层，藉以形成一第一蚀刻层及一未蚀刻层；形成一第一边衬于该第一蚀刻层的二侧壁上，藉以限定该第一蚀刻层；基于该第一边衬，蚀刻该未蚀刻层的至少一部分，藉以形成一第二蚀刻层；形成一第二边衬于该第一边衬和该第二蚀刻层的二侧壁上，藉以限定该第二蚀刻层；形成一中间介电层，其中该中间介电层填满该第二边衬之间的空隙且覆盖该第一蚀刻层顶上；利用一自我校准接触方法在该中间介电层中开启一接触孔，其中该接触孔位于该第二边衬之间并暴露该隔离层；以及形成一导电体，藉以填满该接触孔。