发明名称 |
半导体开关装置和电子设备 |
摘要 |
一种半导体开关装置(300),其包括双极型晶体管(302)和半导体功率开关(301),其具有输入节点(306)、输出节点(304)和控制节点(305),该控制节点(305)用于允许在所述输入节点(306)和输出节点(307)之间形成电流路径。双极型晶体管(302)连接在输入节点(306)和控制节点(305)之间,这样当接收到静电放电脉冲时,所述双极型晶体管(302)允许电流从输入节点(306)流到控制节点(305),而当在输入节点(306)处超出预定电压时,则双极型晶体管(302)允许控制节点(305)使电流从输入节点(306)流到输出节点(307)。因此,所述双极型晶体管器件保护了例如LDMOS的所述半导体开关器件免于ESD,也就是保护其免于比如在小于1微秒内几安培的功率波动。 |
申请公布号 |
CN101019319A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200580026543.X |
申请日期 |
2005.08.03 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司;法国国家科学研究中心 |
发明人 |
米歇尔·齐克里;卢卡·贝尔托利尼;帕特里斯·贝塞;玛丽斯·巴夫卢尔;尼古拉斯·诺希尔 |
分类号 |
H03K17/082(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/082(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;黄启行 |
主权项 |
1.一种半导体开关装置(300),其包括双极型晶体管(302)和半导体功率开关(301),其具有输入节点(306)、输出节点(304)和控制节点(305),用于允许在输入节点(306)和输出节点(307)之间形成电流路径,其特征在于:双极型晶体管(302)连接在输入节点(306)和控制节点(305)之间,这样当接收到静电放电脉冲时,该双极型晶体管(302)允许电流从输入节点(306)流到控制节点(305);以及当在输入节点(306)处超出预定电压时,允许所述控制节点(305)使电流从输入节点(306)流到输出节点(307)。 |
地址 |
美国得克萨斯 |