| 发明名称 | 多孔质薄膜的改质方法及被改质的多孔质薄膜及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、C<SUB>n</SUB>H<SUB>2n</SUB>或C<SUB>6</SUB>H<SUB>4</SUB>、R表示C<SUB>m</SUB>H<SUB>2m+1</SUB>或C<SUB>6</SUB>H<SUB>5</SUB>、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si-A结合单元(A表示H、OH、OC<SUB>e</SUB>H<SUB>2e+1</SUB>或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1331745C | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN03821314.1 | 申请日期 | 2003.09.08 |
| 申请人 | 三井化学株式会社 | 发明人 | 高村一夫;大池俊辅;洼田武司;村上雅美;藏野义人 |
| 分类号 | C01B33/12(2006.01);H01L21/316(2006.01);C09D183/02(2006.01);C09D183/04(2006.01) | 主分类号 | C01B33/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.多孔质薄膜的改质方法，其特征在于：将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元和2个或2个以上的Si-A结合单元的有机硅化合物与主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理，其中，X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2；A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数，同一分子内的A相同或相异。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||