发明名称 |
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 |
摘要 |
一种制备氧化锌薄膜材料的方法,特别是指一种利用SOI可协变衬底,采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底;步骤2:将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室;步骤3:进行溅射靶材的表面预溅射处理;步骤4:将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室;步骤5:进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理;步骤6:氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长;步骤7:氧化锌薄膜材料的原位退火处理;步骤8:将降到室温的氧化锌样品取出,完成氧化锌薄膜材料的制备。 |
申请公布号 |
CN101017776A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200610003072.7 |
申请日期 |
2006.02.08 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国 |
分类号 |
H01L21/203(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/58(2006.01);C23C14/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/203(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1.一种制备氧化锌薄膜材料的方法,特别是指一种利用SOI可协变衬底,采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底;步骤2:将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室;步骤3:进行溅射靶材的表面预溅射处理;步骤4:将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室;步骤5:进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理;步骤6:氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长;步骤7:氧化锌薄膜材料的原位退火处理;步骤8:将降到室温的氧化锌样品取出,完成氧化锌薄膜材料的制备。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |