| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置，具备驱动电路(22)，其对施加到基板(1)、选择栅(SG0、SG1)、局部位线(LB2)、和控制栅(CGn)的电压进行控制。驱动电路(22)在改写动作时，对控制栅(CGn)施加负电压，对选择栅(SG0)施加正电压，对选择栅(SG1)施加比选择栅(SG0)的电压低的电压，对局部位线(LB2)施加正电压，由此进行通过FN隧道效应而将电子从浮置栅(FG3)选择性吸引到局部位线(LB2)的控制。由此，即使存储单元被微细化，也能确保足够的动作容限。 | ||
| 申请公布号 | CN101017827A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200710006228.1 | 申请日期 | 2007.02.07 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 金森宏治 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其中具备：第一选择栅，其配设于基板上的第一区域；第一存储节点，其配设于与所述第一区域邻接的第二区域；局部位线，其配设于与所述第二区域邻接的第三区域；第二存储节点，其配设于与所述第三区域邻接的第四区域；第二选择栅，其配设于所述基板上与所述第四区域邻接的第五区域；控制栅，其配设于所述第一存储节点和所述第二存储节点上；和驱动电路，其对施加到所述基板、所述第一选择栅、所述局部位线、所述第二选择栅、和所述控制栅的电压进行控制，所述驱动电路在改写动作时，对所述控制栅施加负电压，对所述第二选择栅施加正电压，对所述第一选择栅施加比所述第二选择栅的电压低的电压，对所述局部位线施加正电压，由此进行通过FN隧道效应而将电子从所述第一存储节点选择性吸引到所述局部位线的第一控制。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||