| 发明名称 | 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。 | ||
| 申请公布号 | CN101017864A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200610003071.2 | 申请日期 | 2006.02.08 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨少延;杨霏;李成明;范海波;陈涌海;刘志凯;王占国 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/0248(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L29/02(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C-SiC中间层，该超薄3C-SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C-SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||