发明名称 |
一种半导体激光吸收光谱气体分析方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体激光吸收光谱气体分析方法,所述方法包括以下步骤:a.确定半导体激光器的工作温度范围和工作电流范围;b.在所述半导体激光器的工作温度范围内划分出至少二个工作温度区间和至少一个无吸收谱线温度区间,使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线;c.测得所述半导体激光器的工作环境温度T,根据所述工作环境温度T确定拟使用的被测气体的吸收谱线;d.根据半导体激光器的工作温度T<SUB>work</SUB>和步骤c确定的吸收谱线的中心频率,确定并调整半导体激光器的工作电流;e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被接收;对接收到的光信号进行吸收光谱分析,得到被测气体的被测参数并显示。 |
申请公布号 |
CN101017135A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200710067513.4 |
申请日期 |
2007.03.02 |
申请人 |
王健 |
发明人 |
王健;顾海涛;刘立鹏 |
分类号 |
G01N21/39(2006.01) |
主分类号 |
G01N21/39(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种半导体激光吸收光谱气体分析方法,所述方法包括以下步骤:a.确定半导体激光器的工作温度范围和工作电流范围;b.根据被测气体的吸收谱线特性,以及所述半导体激光器的工作温度范围和工作电流范围,在所述半导体激光器的工作温度范围内划分出至少二个工作温度区间和至少一个无吸收谱线温度区间,使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线;c.测得所述半导体激光器的工作环境温度T,当所述工作环境温度T处于步骤b中划分出的一工作温度区间内时,确定与该工作温度区间对应的吸收谱线为拟使用的吸收谱线,同时该工作环境温度T作为半导体激光器的工作温度Twork;当所述工作环境温度T处于所述一无吸收谱线温度区间内时,通过加热使所述半导体激光器的工作温度Twork进入步骤b中划分出的一工作温度区间内,确定与该工作温度区间对应的吸收谱线为拟使用的吸收谱线;d.根据所述半导体激光器的工作温度Twork和步骤c确定的吸收谱线的中心频率,确定并调整所述半导体激光器的工作电流;e.所述半导体激光器发出的光穿过被测气体并被接收;对接收到的光信号进行吸收光谱分析,得到被测气体的被测参数并显示。 |
地址 |
310052浙江省杭州市滨江区滨安路1180号3号楼2楼 |