| 发明名称 | 退火晶片以及退火晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 于晶体生长期间在1100至1000℃的冷却速率为4℃/分钟或更高的情况下拉伸掺氮的硅单晶基材，其中氮浓度为1×10<SUP>14</SUP>原子/cm<SUP>3</SUP>至5×10<SUP>15</SUP>原子/cm<SUP>3</SUP>，且V/G满足作为硅单晶制造期间的晶体生长条件的预定条件，该基材在非氧化气氛中实施热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101016651A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200610172531.4 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 中居克彦;福原浩二 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01) | 主分类号 | C30B33/02(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、在整个晶片表面内具有不含表面缺陷的层以及优异的吸除能力的退火晶片，其中该退火晶片平面内氧析出物密度的最小值为5×108/cm3 或更高，而氧析出物密度径向分布偏差为0.5或更小。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||