| 发明名称 | 提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳的方法，其特征在于可选择下述三种方法中任意一种，即①通过在特定气氛条件下热处理提高A/Re<SUB>x</SUB>C<SUB>1－x</SUB>MnO<SUB>3</SUB>/B三明治结构的抗疲劳性能；②通过在特定气氛下对A/Re<SUB>x</SUB>C<SUB>1－x</SUB>MnO<SUB>3</SUB>/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能；③通过在特定气氛条件下热处理并在特定气氛下对A/Re<SUB>x</SUB>C<SUB>1－x</SUB>MnO<SUB>3</SUB>/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能。所述特定气氛为低真空(10<SUP>－3</SUP>－10<SUP>3</SUP>Pa)、低氧分压(10<SUP>－2</SUP>－10<SUP>2</SUP>Pa)和Ar/H<SUB>2</SUB>混合气氛。方法简单，易操作，可在单一上、下电极材料与薄膜构成的三明治结构中实现RRAM器件疲劳特性的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101017879A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200710036454.4 | 申请日期 | 2007.01.12 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 陈立东;尚大山;王群;吴子华 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/56(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳的方法，其特征在于可选择下述三种方法中任意一种：方法一、通过在特定气氛条件下热处理提高A/RexC1-xMnO3/B三明治结构的抗疲劳性能在底电极B上制备好RexC1-xMnO3薄膜，然后在RexC1-xMnO3薄膜上制作顶电极A阵列，形成A/RexC1-xMnO3/B结构，然后将其在特定气氛下进行热处理。热处理的温度范围为400-800℃；方法二、通过在特定气氛下对A/RexC1-xMnO3/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能在底电极B上制备好RexC1-xMnO3薄膜，然后在RexC1-xMnO3薄膜上制作顶电极A阵列，形成A/RexC1-xMnO3/B结构，A/RexC1-xMnO3/B结构不经过方法1中所述的热处理，而在特定气氛下，采用传统的半导体封装工艺对器件进行封装，封装材料应选择绝缘材料，使封装后的薄膜以及电极与薄膜的界面不与外界气氛接触；方法三、通过在特定气氛条件下热处理并在特定气氛下对A/RexC1-xMnO3/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能将按方法1所述热处理后的A/RexC1-xMnO3/B结构按方法2所述的方法进行封装；所述的特定气氛为低真空、低氧分压或Ar/H2混合气氛；所述的Re为La，Pr，Nd，Sm和Y中的一种或几种；所述的C为Ca，Sr和Ba中的一种或几种；所述的A电极为Ag，Ti，Al，Pt，Au，Ir，Cr，Cu，TiN，TaN或TiAlN；所述的B电极为Pt，Au，Ir，IrO2，Ru，RuO2，SrRuO3，LaxSr1-xCoO3，LaxSr1-xMnO3，LaNiO3+x，SrTiO3-x，La1-xSrxTiO3和SrNbxTi1-xO3中的一种；所述的RexC1-xMnO3表达式中0≤x≤1。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||