| 发明名称 |
PROCEDE DE SCELLEMENT A BASSE TEMPERATURE D'UNE CAVITE SOUS VIDE OU SOUS ATMOSPHERE CONTROLEE |
| 摘要 |
Ce procédé de scellement d'une cavité d'un composant placé dans une enceinte est réalisé par la mise en oeuvre de la technologie du dépôt physique en phase vapeur (PVD) par évaporation de Germanium ou de Silicium.
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| 申请公布号 |
FR2897196(A1) |
申请公布日期 |
2007.08.10 |
| 申请号 |
FR20060050445 |
申请日期 |
2006.02.08 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL |
发明人 |
ANDRE BERNARD;ARNAUD AGNES |
| 分类号 |
H01L21/56;B81C1/00;H01L31/0216 |
主分类号 |
H01L21/56 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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