| 发明名称 | 清洁制剂 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于从半导体基片上去除不需要的有机和无机残留物和污染物的含水清洁组合物。所述清洁组合物包含脲衍生物例如二甲基脲作为主要用于从基片去除有机残留物的组分。本发明的清洁组合物中还含有氟离子源，该组分主要用于从基片上去除无机残留物。本发明的清洁组合物具有低毒性并且合乎环境要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101013273A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200710007926.3 | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | M·B·劳;T·M·韦德;J·A·马塞拉;M·L·利斯特曼 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01);G03F7/26(2006.01);C11D7/32(2006.01);C11D7/00(2006.01);C11D3/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/42(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周铁;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种用于从半导体基片上除去残留物的组合物，所述组合物以有效清洁量包含：a)水；b)至少一种式(I)的化合物：<img file="A2007100079260002C1.GIF" wi="1147" he="563" />其中，R<sub>1</sub>和R<sub>3</sub>独立地是H，C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基，或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羟烷基；R<sub>2</sub>和R<sub>4</sub>独立地是C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基，或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羟烷基；c)氟离子源；d)任选地，水混溶性的有机溶剂；e)任选地，缓冲剂；和f)任选地，腐蚀抑制剂。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||