| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有半导体电阻层的半导体装置的制造方法，其能够降低理论电阻值与实测电阻值间的偏差。在半导体基板(1)的整个面上形成层间绝缘膜(9)，之后有选择地蚀刻该层间绝缘膜(9)，形成分别使多晶硅电阻层(4)、源极区域(7)及漏极区域(8)局部露出的接触孔(10、11)。在多晶硅电阻层(4)上，将相邻的接触孔间距定义为电阻元件的长L1、L2，进而设定多晶硅电阻层(4)的构图尺寸。接着，经由接触孔(10)进行离子注入，在多晶硅电阻层(4)上形成低电阻区域(15a～15c)(高浓度杂质注入区域)。接着，以比形成源极区域、漏极区域时的热处理温度更低的温度进行该离子注入后的热处理(退火)。 | ||
| 申请公布号 | CN101013664A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200710004746.X | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 西部荣次;八柳俊佑 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体基板的表面形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成半导体电阻层的工序；形成覆盖所述半导体电阻层的层间绝缘膜的工序；在所述层间绝缘膜中形成使所述半导体电阻层局部露出的接触孔的工序；经由所述接触孔向所述半导体电阻层进行离子注入、且在所述半导体电阻层上形成低电阻区域的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||