| 发明名称 | 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层，薄层厚度为1～8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流量计和漏阀，对气体流量进行检测和控制。打开离子捕获阱时只有中性粒子进入生长室，关闭时则等离子体进入生长室。由于ZnO极性表面与非极性表面的稳定性不同，在衬底表面形成初始的ZnO纳米环，后继ZnO沿环生长形成纳米管。本发明利用等离子体辅助的分子束外延制备半导体材料，无需引入催化剂或模板，即可定向生长出高质量的ZnO纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN1331196C | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200410010859.7 | 申请日期 | 2004.05.12 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 吕有明;梁红伟;申德振;张振中;刘益春;张吉英;范希武 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);C01G9/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李恩庆 |
| 主权项 | 1、一种用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法，其特征是用等离子体辅助的分子束外延设备，制备出一层超薄ZnO薄膜，ZnO薄膜与等离子体作用，在衬底表面形成初始的ZnO纳米环，后继ZnO沿ZnO纳米环生长形成纳米管。 | ||
| 地址 | 130031吉林省长春市东南湖大路16号 | ||