发明名称 CdTe量子点的制备方法
摘要 本发明公开了一种CdTe量子点的制备方法,属于纳米技术领域。本发明方法为:首先选用CdO溶于油酸中形成的镉的油酸盐作为Cd离子来源、选用Te粉溶于三辛基磷中形成的三辛基磷化碲作为Te离子来源,然后将两者在液体石蜡中混合反应,获得CdTe量子点。本发明方法避免使用了昂贵、有毒、易燃易爆的有机化合物,所需的反应温度较低,操作简单,制备成本低,适合在实验室中的规模合成或工业生产。本发明可通过控制不同的反应温度、反应物之间的比例、反应时间等参数来获得不同尺寸和荧光发射波长的CdTe量子点。利用本发明方法制备的CdTe量子点的荧光光谱范围较宽,荧光量子效率高,粒径分布均匀,稳定性好。
申请公布号 CN101012378A 申请公布日期 2007.08.08
申请号 CN200710037032.9 申请日期 2007.02.01
申请人 上海交通大学 发明人 孙康;李万万;邢滨
分类号 C09K11/88(2006.01) 主分类号 C09K11/88(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王锡麟;张宗明
主权项 1、一种CdTe量子点的制备方法,其特征在于,首先选用CdO溶于油酸中形成的镉的油酸盐作为Cd离子来源、选用Te粉溶于三辛基磷中形成的三辛基磷化碲作为Te离子来源,然后将两者在液体石蜡中混合反应,获得CdTe量子点。
地址 200240上海市闵行区东川路800号