| 发明名称 | EEPROM | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有非易失性存储器单元的EEPROM。该非易失性存储器单元包括：第一阱(11)，其形成在基底(1)中；浮置栅(30)，其通过栅绝缘膜形成在基底(1)上，以与第一阱(11)的第一区域(15)重叠；第一和第二扩散层(12，13)形成在第一阱(11)中，以与所述第一区域(15)接触；以及MOS晶体管(20)，其栅电极是浮置栅(30)，并且通过其栅绝缘膜将电荷传输至浮置栅(30)。该第一扩散层(12)和第二扩散层(13)具有相反的导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN101013702A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200610163516.3 | 申请日期 | 2006.11.29 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 田中浩治 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种具有非易失性存储器单元的EEPROM，所述非易失性存储器单元包括：形成在基底中的第一阱；浮置栅，其通过栅绝缘膜形成在所述基底上，以与所述第一阱的第一区域重叠；第一和第二扩散层，其形成在所述第一阱中，以与所述第一区域接触；以及MOS晶体管，其栅电极是所述浮置栅，并且通过其栅绝缘膜将电荷传输至所述浮置栅，其中所述第一扩散层和所述第二扩散层具有相反的导电类型。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||