半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各TFT相互实现高一致性。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上方形成非晶半导体层；将非晶半导体层图形化为所需要的形状，以形成第一半导体岛和标记；将会聚为椭圆或矩形形状的激光辐照到包括第一半导体岛的区域，同时相对于衬底进行扫描以晶化第一半导体岛；将已晶化的第一半导体岛图形化为所需要的形状，并形成第二半导体岛；以及使用第二半导体岛作为有源层形成薄膜晶体管，并使用薄膜晶体管配置电路，其中，包括在半导体器件的单元电路中的所有薄膜晶体管的有源层从已晶化的第一半导体岛中的任何一个形成。