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发明名称 Transistor mit einem ungleichmäßig dotierten Kanal und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要
申请公布号 DE4340976(B4) 申请公布日期 2007.08.02
申请号 DE19934340976 申请日期 1993.12.01
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 JUNG, DAE SUB;JOO, BONG KYOON;KIM, SANG YONG;YOON, HAN SUB
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/772 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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