半导体装置、横向扩散金氧半导体电晶体与积体电路

摘要

一种半导体装置，包括：一第一掺杂区，设置于一半导体基底内之一第一井区内；一第二掺杂区，设置于邻近该半导体基底内第一井区之一第二井区内，该第二井区具有高于该第一井区之一掺质密度；以及一闸极结构，部份覆盖该第一与第二井区，以控制流通于该第一与第二掺杂区间之一电流，其中介于该第二掺杂区与该第二井区间之一介面距该闸极结构之一最近边之一第一间距多出该第二掺杂区之一中心至该第二掺杂区一边缘之一第二间距200％。