光反射性受控制的光敏二极体单元以及彼之制法

摘要

光敏二极体单元(1)包括至少一个在矽半导体基板(2)中制造的光敏部位(3)用以接收光，特别是同调光；与一钝化层和一介电层(4)。该钝化层系由在该光敏部位上制成的至少一第一氧化矽层(5)和至少一第二氮化物层(6)所构成。该第二氮化物层系经制造成具有在一既定边际值内的厚度，以使其处于具有与该第一层的厚度独立地最可能固定的光反射性之区内。于该介电层(4)的一部份之上或在该第一层(5)之上对应于该光敏部位的接收表面一半之处可以实施蚀刻(7)以得到要由该光敏二极体感测的光反射性百分比平均值。