记忆体结构、记忆体装置及其制造方法

摘要

一种记忆体结构、记忆体装置及其制造方法。该方法包括，先提供一基底，其中在基底上形成有一介电层，接着，在介电层中形成一图案，然后，在图案中与介电层上形成非晶矽层，并将非晶矽层图案化，其中至少保留非晶矽层在图案上之部分以形成一电极。之后，在电极之侧壁上形成一间隙壁。继之，在电极之表面上与间隙壁之表面上形成一选择性半球面晶粒层。