半导体化合物用基板及由其所制得的固态半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体化合物用基板，包含：一单晶矽晶圆、一叠置于该单晶矽晶圆且为氮化镓的第一缓冲层，及一夹置于该单晶矽晶圆及该第一缓冲层之间的第二缓冲层。该第二缓冲层为下列化学式(I)之化合物：AlxGa1-xN....................................(I)其中，0.25≦x≦0.99。本发明亦提供一种固态半导体装置，包含：一如前所述之半导体化合物用基板，及一叠置于该半导体化合物用基板的发射单元。