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利用湿式蚀刻转移奈米压印图案的方法
摘要
一种利用湿式蚀刻转移奈米压印图案的方法,包含以下步骤:制备基板及氧化层、设置阻剂层、在阻剂层上压印图案、第一次蚀刻,以及第二次蚀刻。其中,该第一次蚀刻是将基板浸泡在蚀刻溶液中,亦即进行湿式蚀刻,利用蚀刻溶液对氧化层及阻剂层的蚀刻速度不同,使氧化层形成图案,接着再进行第二次蚀刻,图案即形成于基板上。该湿式蚀刻快速且均匀,并可同时将多片基板浸泡在蚀刻溶液中一起进行蚀刻,故兼具有蚀刻时间短、步骤简单、不需复杂昂贵的仪器设备、降低制作成本等优点。
申请公布号
TW200729325
申请公布日期
2007.08.01
申请号
TW095101880
申请日期
2006.01.18
申请人
国立成功大学
发明人
洪敏雄;赖冠良;吕英治;洪昭南
分类号
H01L21/306(2006.01)
主分类号
H01L21/306(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
台南市东区大学路1号
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